Written by Hiroshi Tanaka
•半導体パッケージ内に実装されるCo-Packaged Opticsデバイス(光トランシーバー)の開発
・システム全体の計算処理能力は半導体基板間の伝送速度の制約がボトルネック。
・同社はQDレーザーは、伝送バンド帯域を絞ることなく光伝送を実現する。
100x の伝送帯域、1/10の消費電力が可能
・既存のフォトシリコンにおいては複数のリーザ-と伝送デバイスが必要があるが当社のQDレーザーは1本で伝送することが可能。
既存 100 Gbps/Fiber → 同社技術 >1000Gbps/Fiber
・AI用のXPU-XPUの接続に関するマーケットへの進出に向けて、技術開発を進める。
・同社のQD: TowerJazzファンダリの電子線蒸着。1300nm波長帯の活性層。
(当社エレ事で開発するQD材料は適用できない領域)
•半導体パッケージ内に実装されるCo-Packaged Opticsデバイス(光トランシーバー)の開発
・電気配線による接続は伝送バンド帯域と距離の制約により限界に達しつつある。
・Co-Packaged Opticsは単一パッケージ基板上に光トランシーバーデバイスを実装することで伝送バンド帯域と消費電力を解決する技術である。
・同社は半導体レーザーにQD材を用いる技術を保有しておりCo-Packaged Opticsにおける消費電力低下、伝送効率の向上、に貢献する。
・2025年に製品化を目指す。
••顧客:Nvidia, AMD,Broadcom, Intel
•パートナー:当社エレ事FCBGA関連の開発案件”Co –Package”と連携できる可能性あり。