Written by Hiroshi Tanaka
今回の注目ベンチャーの紹介はFlosfiaです。
Flosfiaは次世代半導体「酸化ガリウム」を素材としたパワー半導体デバイスを開発および製造します。
・次世代半導体「酸化ガリウム」を素材としたパワー半導体デバイスの開発・製造
・成膜合成技術プラットフォームであるミストドライ®法による新たな電子産業材料の開発・製造
・同社の材料αG2O3(酸化ガリウム)は、京都大学の研究室で偶然に合成された半導体材料。
・低電力損失のポテンシャルを示す指数であるバリガ性能指数が大きい。
・低オン抵抗、高速スイッチング、高温動作が長所。
・基板は4inchのサファイア基板(汎用LEDと同じのため安価に調達可能)
・基板サイズの広径化トレンドに反するが、他のパワー半導体材料(SiC、GaN)に比べてバルクコストが格段に安価なため、価格競争力がある。
・アプリケーション:エアコン用インバータ、EV
・能力: 年間100-200万個 (2024年度より量産化の計画)
・IP: 権利済み200件、出願700件
・脱酸素社会の実現に向けて高電圧高電流に耐えうるパワー半導体が注目されている。
・現状のパワー半導体素材は、SiCおよびGaN。さらなる高性能化材料が期待されている。
・絶縁破壊強度など複数の特性を評価してパワー半導体のパフォーマンスを示すバリガ性能指数(Siを1とする指数)において、
既存SiC(=500)・GaN(=930)に比べ同社の酸化ガリウムは高い数値(=6,726)を示す。
・同社はエピウェハ製法(ミストドライ法)にコア技術を有する。
・材料設計とエピウェハ製造を同社で担うセミファブレススキーム。